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2SA639SR

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小67KB,共2页
制造商NEC(日电)
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2SA639SR概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

2SA639SR规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.05 A
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度125 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)130 MHz
VCEsat-Max0.9 V
Base Number Matches1

2SA639SR相似产品对比

2SA639SR 2SA639SP 2SA639SQ 2SA639S
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.05 A 0.05 A 0.05 A 0.05 A
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30 150 100 30
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 130 MHz 130 MHz 130 MHz 130 MHz
VCEsat-Max 0.9 V 0.9 V 0.9 V 0.9 V
Base Number Matches 1 1 1 1

 
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