Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-9, TO-9, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | TO-9, 3 PIN |
Reach Compliance Code | unknown |
最大集电极电流 (IC) | 0.05 A |
集电极-发射极最大电压 | 20 V |
配置 | Single |
最小直流电流增益 (hFE) | 10 |
JEDEC-95代码 | TO-9 |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 100 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 0.06 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | GERMANIUM |
标称过渡频率 (fT) | 10 MHz |
Base Number Matches | 1 |
2N1742 | 2N2360 | 2N2362 | 2N2398 | 2N2399 | |
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描述 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-9, TO-9, 3 PIN | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), Germanium, PNP, TO-12, TO-12, 4 PIN | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), Germanium, PNP, TO-12, TO-12, 4 PIN | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), Germanium, PNP, TO-12, TO-12, 4 PIN | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), Germanium, PNP, TO-12, TO-12, 4 PIN |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
包装说明 | TO-9, 3 PIN | TO-12, 4 PIN | TO-12, 4 PIN | TO-12, 4 PIN | TO-12, 4 PIN |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
最大集电极电流 (IC) | 0.05 A | 0.05 A | 0.05 A | 0.05 A | 0.05 A |
配置 | Single | Single | Single | Single | Single |
最小直流电流增益 (hFE) | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 |
JEDEC-95代码 | TO-9 | TO-12 | TO-12 | TO-12 | TO-12 |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W4 | O-MBCY-W4 | O-MBCY-W4 | O-MBCY-W4 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
端子数量 | 3 | 4 | 4 | 4 | 4 |
最高工作温度 | 100 °C | 125 °C | 100 °C | 100 °C | 100 °C |
封装主体材料 | METAL | METAL | METAL | METAL | METAL |
封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | PNP | PNP | PNP | PNP | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 0.06 W | 0.06 W | 0.06 W | 0.06 W | 0.06 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | GERMANIUM | GERMANIUM | GERMANIUM | GERMANIUM | GERMANIUM |
标称过渡频率 (fT) | 10 MHz | 1600 MHz | 1600 MHz | 1600 MHz | 1600 MHz |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
集电极-发射极最大电压 | 20 V | - | 20 V | 20 V | 20 V |
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