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2SA1226-T2BE3

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC, SC-59, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小89KB,共3页
制造商NEC(日电)
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2SA1226-T2BE3概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC, SC-59, 3 PIN

2SA1226-T2BE3规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.03 A
基于收集器的最大容量2 pF
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)60
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)400 MHz
VCEsat-Max0.3 V
Base Number Matches1
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