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2SA1006A

产品描述Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小111KB,共3页
制造商NEC(日电)
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2SA1006A概述

Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

2SA1006A规格参数

参数名称属性值
包装说明TO-220, 3 PIN
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1.5 A
集电极-发射极最大电压200 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)60
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值25 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)80 MHz
VCEsat-Max1 V
Base Number Matches1
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