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2SK3360

产品描述Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MP-45F, ISOLATED TO-220, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小40KB,共4页
制造商NEC(日电)
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2SK3360概述

Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MP-45F, ISOLATED TO-220, 3 PIN

2SK3360规格参数

参数名称属性值
厂商名称NEC(日电)
零件包装代码SFM
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)122 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)35 A
最大漏源导通电阻0.04 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)140 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

2SK3360相似产品对比

2SK3360
描述 Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MP-45F, ISOLATED TO-220, 3 PIN
厂商名称 NEC(日电)
零件包装代码 SFM
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 122 mJ
外壳连接 ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V
最大漏极电流 (ID) 35 A
最大漏源导通电阻 0.04 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 140 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
Base Number Matches 1

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