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2SC2002M

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小75KB,共2页
制造商NEC(日电)
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2SC2002M概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

2SC2002M规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.3 A
基于收集器的最大容量15 pF
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)90
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)140 MHz
VCEsat-Max0.6 V
Base Number Matches1

2SC2002M相似产品对比

2SC2002M 2SC2002K 2SC2002L 2SC2002
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown compliant
最大集电极电流 (IC) 0.3 A 0.3 A 0.3 A 0.3 A
集电极-发射极最大电压 60 V 60 V 60 V 60 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 90 200 135 30
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 140 MHz 140 MHz 140 MHz 140 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1
基于收集器的最大容量 15 pF 15 pF 15 pF -
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C -
VCEsat-Max 0.6 V 0.6 V 0.6 V -

 
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