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2SC1940

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小79KB,共3页
制造商NEC(日电)
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2SC1940概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

2SC1940规格参数

参数名称属性值
厂商名称NEC(日电)
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.05 A
集电极-发射极最大电压120 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)90
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)120 MHz
Base Number Matches1

2SC1940相似产品对比

2SC1940 2SC1940K 2SC1940L 2SC1940M
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.05 A 0.05 A 0.05 A 0.05 A
集电极-发射极最大电压 120 V 120 V 120 V 120 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 90 200 135 90
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 120 MHz 120 MHz 120 MHz 120 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1
基于收集器的最大容量 - 3 pF 3 pF 3 pF
最高工作温度 - 150 °C 150 °C 150 °C
VCEsat-Max - 0.6 V 0.6 V 0.6 V
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