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2SC3583-R

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小92KB,共8页
制造商NEC(日电)
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2SC3583-R概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,

2SC3583-R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称NEC(日电)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.065 A
基于收集器的最大容量0.9 pF
集电极-发射极最大电压10 V
配置SINGLE
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)9000 MHz
Base Number Matches1
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