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2SK801-Z-T2

产品描述Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, MP-3, SC-63, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小97KB,共4页
制造商NEC(日电)
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2SK801-Z-T2概述

Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, MP-3, SC-63, 3 PIN

2SK801-Z-T2规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)2 A
最大漏源导通电阻0.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值12 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)8 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

2SK801-Z-T2相似产品对比

2SK801-Z-T2 2SK801-Z 2SK801-Z-T1
描述 Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, MP-3, SC-63, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, MP-3, SC-63, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, MP-3, SC-63, 3 PIN
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V 30 V
最大漏极电流 (ID) 2 A 2 A 2 A
最大漏源导通电阻 0.5 Ω 0.5 Ω 0.5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 12 W 12 W 12 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 8 A 8 A 8 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1

 
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