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L2SK801WT3G

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小173KB,共4页
制造商LRC
官网地址http://www.lrc.cn
标准
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L2SK801WT3G概述

Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

L2SK801WT3G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.31 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.225 W
表面贴装YES
Base Number Matches1

L2SK801WT3G相似产品对比

L2SK801WT3G L2SK801WT1G
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
是否Rohs认证 符合 符合
Reach Compliance Code unknown unknown
配置 Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.31 A 0.31 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.225 W 0.225 W
表面贴装 YES YES
Base Number Matches 1 1
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