Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
配置 | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.31 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高工作温度 | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 0.225 W |
表面贴装 | YES |
Base Number Matches | 1 |
L2SK801WT3G | L2SK801WT1G | |
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描述 | Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
配置 | Single | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.31 A | 0.31 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 0.225 W | 0.225 W |
表面贴装 | YES | YES |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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