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S-L2SC2412KQLT3G

产品描述Small Signal Bipolar Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小121KB,共4页
制造商LRC
官网地址http://www.lrc.cn
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S-L2SC2412KQLT3G概述

Small Signal Bipolar Transistor,

S-L2SC2412KQLT3G规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
Base Number Matches1

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
NPN Silicon
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
ORDERING INFORMATION
Device
Marking
Shipping
L2SC2412KQLT1G
Series
L2SC2412KQLT1G
Series
L2SC2412KQLT1G
S-L2SC2412KQLT1G
L2SC2412KQLT3G
S-L2SC2412KQLT3G
L2SC2412KRLT1G
S-L2SC2412KRLT1G
L2SC2412KRLT3G
S-L2SC2412KRLT3G
L2SC2412KSLT1G
S-L2SC2412KSLT1G
L2SC2412KSLT3G
S-L2SC2412KSLT3G
BQ
BQ
BR
BR
G1F
G1F
3000 Tape & Reel
10000 Tape & Reel
3000 Tape & Reel
10000 Tape & Reel
3000 Tape & Reel
10000 Tape & Reel
2
1
3
SOT– 23
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector–Emitter Voltage
Collector–Base Voltage
Emitter–Base Voltage
Collector Current — Continuous
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
Value
50
60
7.0
150
0.2
150
-55 ~+150
Unit
V
V
V
mAdc
W
°C
°C
2
EMITTER
1
BASE
3
COLLECTOR
I
C
P
C
T
j
T
stg
DEVICE MARKING
L2SC2412KQLT1G =BQ L2SC2412KRLT1G =BR L2SC2412KSLT1G =G1F
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C unless otherwise noted.)
Characteristic
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(I
C
= 1 mA)
Emitter–Base Breakdown Voltage
(I
E
= 50
µA)
Collector–Base Breakdown Voltage
(I
C
= 50
µA)
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 60 V)
Emitter cutoff current
(V
EB
= 7 V)
Collector-emitter saturation voltage
(I
C
/ I
B
= 50 mA / 5m A)
DC current transfer ratio
(V
CE
= 6 V, I
C
= 1mA)
Transition frequency
(V
CE
= 12 V, I
E
= – 2mA, f =30MHz )
Output capacitance
(V
CB
= 12 V, I
E
= 0A, f =1MHz )
Symbol
V
V
V
(BR)CEO
Min
50
7
60
120
Typ
––
180
2.0
Max
0.1
0.1
0.4
560
––
3.5
Unit
V
V
V
µA
µA
V
––
MHz
pF
(BR)EBO
(BR)CBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
f
T
C
ob
h
FE
values are classified as follows:
hFE
*
Q
120~270
R
180~390
S
270~560
Rev.O 1/4

S-L2SC2412KQLT3G相似产品对比

S-L2SC2412KQLT3G S-L2SC2412KQLT1G S-L2SC2412KSLT1G S-L2SC2412KSLT3G S-L2SC2412KRLT1G S-L2SC2412KRLT3G
描述 Small Signal Bipolar Transistor, Small Signal Bipolar Transistor, Small Signal Bipolar Transistor, Small Signal Bipolar Transistor, Small Signal Bipolar Transistor, Small Signal Bipolar Transistor,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1
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