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HB52E328EM-A6B

产品描述256MB Unbuffered SDRAM DIMM
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文件大小146KB,共19页
制造商ELPIDA
官网地址http://www.elpida.com/en
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HB52E328EM-A6B概述

256MB Unbuffered SDRAM DIMM

HB52E328EM-A6B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ELPIDA
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM168
针数168
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间6 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N168
内存密度2147483648 bi
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度64
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度65 °C
最低工作温度
组织32MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM168
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)225
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
自我刷新YES
最大待机电流0.016 A
最大压摆率1.76 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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DATA SHEET
256MB Unbuffered SDRAM DIMM
HB52E328EM-A6B, -B6B (32M words
×
64 bits, 1 bank)
HB52E329EM-A6B, -B6B (32M words
×
72 bits, 1 bank)
Description
The HB52E328EM and HB52E329EM belong to 8-byte
DIMM (Dual In-line Memory Module) family, and have
been developed as an optimized main memory solution
for 8-byte processor applications.
They are
synchronous Dynamic RAM Module, mounted 256M
bits SDRAMs (HM5225805BTT) sealed in TSOP
package, and 1 piece of serial EEPROM (2k bits) for
Presence Detect (PD).
The HB52E328EM is
organized 32M
×
64
×
1 bank mounted 8 pieces of
256M bits SDRAM. The HB52E329EM is organized
32M
×
72
×
1 bank mounted 9 pieces of 256M bits
SDRAM.
Therefore, they make high density mounting possible
without surface mount technology.
They provide
common data inputs and outputs.
Decoupling
capacitors are mounted beside each TSOP on the
module board.
Byte control by DQMB
Refresh cycles: 8192 refresh cycles/64ms
2 variations of refresh
Auto refresh
Self refresh
Features
Fully compatible with: JEDEC standard outline 8-
byte DIMM
168-pin socket type package (dual lead out)
Outline: 133.37mm (Length)
×
34.925mm (Height)
×
4.00mm (Thickness)
Lead pitch: 1.27mm
3.3V power supply
Clock frequency: 100MHz (max.)
LVTTL interface
Data bus width :
×
64 Non parity (HB52E328EM)
:
×
72 ECC (HB52E329EM)
Single pulsed /RAS
4 Banks can operates simultaneously and
independently
Burst read/write operation and burst read/single write
operation capability
Programmable burst length (BL): 1, 2, 4, 8
2 variations of burst sequence
Sequential
Interleave
Programmable /CE latency (CL)
: 2, 3 (HB52E328EM/329EM-A6B)
: 3 (HB52E328EM/329EM-B6B)
Document No. E0185H10 (Ver. 1.0)
Date Published July 2001
Printed in Japan
URL: http://www.elpida.com
C
Elpida Memory, Inc. 2001
Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

HB52E328EM-A6B相似产品对比

HB52E328EM-A6B HB52E329EM-A6B HB52E329EM-B6B
描述 256MB Unbuffered SDRAM DIMM 256MB Unbuffered SDRAM DIMM 256MB Unbuffered SDRAM DIMM
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 ELPIDA ELPIDA ELPIDA
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168
针数 168 168 168
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间 6 ns 6 ns 6 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 100 MHz 100 MHz 100 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 2147483648 bi 2415919104 bi 2415919104 bi
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 64 72 72
湿度敏感等级 1 1 1
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 168 168 168
字数 33554432 words 33554432 words 33554432 words
字数代码 32000000 32000000 32000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 65 °C 65 °C 65 °C
组织 32MX64 32MX72 32MX72
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM168 DIMM168 DIMM168
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度) 225 225 225
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192
自我刷新 YES YES YES
最大待机电流 0.016 A 0.018 A 0.018 A
最大压摆率 1.76 mA 1.98 mA 1.98 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

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