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HB52F168GB-75BL: 产品描述128 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM 16-Mword 】 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (4 pcs of 16 M 】 16 components) PC133/100 SDRAM; 产品类别存储存储; 文件大小126KB，共19页; 制造商ELPIDA; 官网地址http://www.elpida.com/en

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HB52F168GB-75BL概述

128 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM 16-Mword 】 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (4 pcs of 16 M 】 16 components) PC133/100 SDRAM

HB52F168GB-75BL规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ELPIDA
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM144,32
针数	144
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N144
内存密度	1073741824 bi
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	64
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	144
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	65 °C
最低工作温度
组织	16MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM144,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
自我刷新	YES
最大待机电流	0.008 A
最大压摆率	0.88 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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HB52F168GB-B

HB52D168GB-B

Description

Features

128 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM

16-Mword

64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module

(4 pcs of 16 M

16 components)

PC133/100 SDRAM

The HB52F168GB and HB52D168GB are a 16M

1 banks Synchronous Dynamic RAM Micro Dual

In-line Memory Module (Micro DIMM), mounted 4 pieces of 256-Mbit SDRAM (HM5225165BTT) sealed

in TSOP package and 1 piece of serial EEPROM (2-kbit EEPROM) for Presence Detect (PD). An outline of

the products is 144-pin Zig Zag Dual tabs socket type compact and thin package. Therefore, they make high

density mounting possible without surface mount technology. They provide common data inputs and outputs.

Decoupling capacitors are mounted beside TSOP on the module board.

•

144-pin Zig Zag Dual tabs socket type (dual lead out)



Outline: 38.00 mm (Length)

30.00 mm (Height)

3.80 mm (Thickness)



Lead pitch: 0.50 mm

•

3.3 V power supply

•

Clock frequency: 133/100 MHz (max)

•

LVTTL interface

•

Data bus width:

64 Non parity

•

Single pulsed

RAS

•

4 Banks can operates simultaneously and independently

•

Burst read/write operation and burst read/single write operation capability

•

Programmable burst length: 1/2/4/8

•

2 variations of burst sequence



Sequential



Interleave

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

E0008H10 (1st edition)

(Previous ADE-203-1219A (Z))

Jan. 19, 2001

HB52F168GB-75BL相似产品对比

	HB52F168GB-75BL	HB52F168GB-B	HB52F168GB-75B	HB52D168GB-B6BL	HB52D168GB-B
描述	128 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM 16-Mword 】 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (4 pcs of 16 M 】 16 components) PC133/100 SDRAM	128 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM 16-Mword 】 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (4 pcs of 16 M 】 16 components) PC133/100 SDRAM	128 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM 16-Mword 】 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (4 pcs of 16 M 】 16 components) PC133/100 SDRAM	128 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM 16-Mword 】 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (4 pcs of 16 M 】 16 components) PC133/100 SDRAM	128 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM 16-Mword 】 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (4 pcs of 16 M 】 16 components) PC133/100 SDRAM
是否Rohs认证	不符合	-	不符合	不符合	-
厂商名称	ELPIDA	-	ELPIDA	ELPIDA	-
零件包装代码	DIMM	-	DIMM	DIMM	-
包装说明	DIMM, DIMM144,32	-	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32	-
针数	144	-	144	144	-
Reach Compliance Code	unknow	-	unknow	unknown	-
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99	-
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST	-	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	-
最长访问时间	5.4 ns	-	5.4 ns	6 ns	-
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	-	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	-
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	-	133 MHz	100 MHz	-
I/O 类型	COMMON	-	COMMON	COMMON	-
JESD-30 代码	R-XDMA-N144	-	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	-
内存密度	1073741824 bi	-	1073741824 bi	1073741824 bit	-
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	-	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	-
内存宽度	64	-	64	64	-
湿度敏感等级	1	-	1	1	-
功能数量	1	-	1	1	-
端口数量	1	-	1	1	-
端子数量	144	-	144	144	-
字数	16777216 words	-	16777216 words	16777216 words	-
字数代码	16000000	-	16000000	16000000	-
工作模式	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-
最高工作温度	65 °C	-	65 °C	65 °C	-
组织	16MX64	-	16MX64	16MX64	-
输出特性	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	-
封装主体材料	UNSPECIFIED	-	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	-
封装代码	DIMM	-	DIMM	DIMM	-
封装等效代码	DIMM144,32	-	DIMM144,32	DIMM144,32	-
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	-	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	-
峰值回流温度（摄氏度）	225	-	225	225	-
电源	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	-
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	-
刷新周期	8192	-	8192	8192	-
自我刷新	YES	-	YES	YES	-
最大待机电流	0.008 A	-	0.008 A	0.008 A	-
最大压摆率	0.88 mA	-	0.88 mA	0.88 mA	-
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	-	3.6 V	3.6 V	-
最小供电电压 (Vsup)	3 V	-	3 V	3 V	-
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	-
表面贴装	NO	-	NO	NO	-
技术	CMOS	-	CMOS	CMOS	-
温度等级	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-
端子形式	NO LEAD	-	NO LEAD	NO LEAD	-
端子节距	0.8 mm	-	0.8 mm	0.8 mm	-
端子位置	DUAL	-	DUAL	DUAL	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-

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