512 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 133 MHz Memory Bus PC133 SDRAM
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ELPIDA |
| 零件包装代码 | DIMM |
| 包装说明 | DIMM, DIMM168 |
| 针数 | 168 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 5.4 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N168 |
| 内存密度 | 4294967296 bi |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 64 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 168 |
| 字数 | 67108864 words |
| 字数代码 | 64000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 65 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 64MX64 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM |
| 封装等效代码 | DIMM168 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 |
| 电源 | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 8192 |
| 自我刷新 | YES |
| 最大待机电流 | 0.032 A |
| 最大压摆率 | 2 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| HB52F648EN-75B | HB52F649EN-75B | |
|---|---|---|
| 描述 | 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 133 MHz Memory Bus PC133 SDRAM | 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 133 MHz Memory Bus PC133 SDRAM |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | ELPIDA | ELPIDA |
| 零件包装代码 | DIMM | DIMM |
| 包装说明 | DIMM, DIMM168 | DIMM, DIMM168 |
| 针数 | 168 | 168 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 5.4 ns | 5.4 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz | 133 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N168 | R-XDMA-N168 |
| 内存密度 | 4294967296 bi | 4831838208 bi |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM MODULE | SYNCHRONOUS DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 64 | 72 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 168 | 168 |
| 字数 | 67108864 words | 67108864 words |
| 字数代码 | 64000000 | 64000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 65 °C | 65 °C |
| 组织 | 64MX64 | 64MX72 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM | DIMM |
| 封装等效代码 | DIMM168 | DIMM168 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 | 225 |
| 电源 | 3.3 V | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 8192 | 8192 |
| 自我刷新 | YES | YES |
| 最大待机电流 | 0.032 A | 0.036 A |
| 最大压摆率 | 2 mA | 2.25 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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