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HB52RD168GB-B6F: 产品描述128 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM 16-Mword 】 64-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (16 pcs of 16 M 】 4 components) PC100 SDRAM; 产品类别存储存储; 文件大小128KB，共22页; 制造商ELPIDA; 官网地址http://www.elpida.com/en

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HB52RD168GB-B6F概述

128 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM 16-Mword 】 64-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (16 pcs of 16 M 】 4 components) PC100 SDRAM

HB52RD168GB-B6F规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ELPIDA
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM144,20
针数	144
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	8 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N144
内存密度	1073741824 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	64
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	144
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	65 °C
最低工作温度
组织	16MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM144,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
自我刷新	YES
最大待机电流	0.016 A
最大压摆率	1.76 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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HB52RD168GB-F

Description

Features

128 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM

16-Mword

64-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module

(16 pcs of 16 M

4 components)

PC100 SDRAM

E0009H10 (1st edition)

(Previous ADE-203-1153A (Z))

Jan. 19, 2001

The HB52RD168GB is a 16M

1 bank Synchronous Dynamic RAM Micro Dual In-line Memory Module

(Micro DIMM), mounted 16 pieces of 64-Mbit SDRAM (HM5264405FTB) sealed in TCP package and 1 piece

of ser ia l EEP RO M (2- kbit EEP RO M) for P rese nce De te ct (P D). An outline of the produc t is 144-pin Zig Za g

Dua l tabs socke t type compa ct and thin pac kage . The ref ore, it make s high density mounting possible without

surf ace mount tec hnology. It provide s common data inputs and outputs. De coupling ca pac itor s ar e mounted

beside TCP on the module board.

Note: Do not push the cover or drop the modules in order to protect from mechanical defects, which would be

electrical defects.

•

144-pin Zig Zag Dual tabs socket type



Outline: 38.00 mm (Length)

30.00 mm (Height)

3.80 mm (Thickness)



Lead pitch: 0.50 mm

•

3.3 V power supply

•

Clock frequency: 100 MHz (max)

•

LVTTL interface

•

Data bus width:

64 Non parity

•

Single pulsed

RAS

•

4 Banks can operates simultaneously and independently

•

Burst read/write operation and burst read/single write operation capability

•

Programmable burst length : 1/2/4/8/full page

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

HB52RD168GB-B6F相似产品对比

	HB52RD168GB-B6F	HB52RD168GB-A6FL	HB52RD168GB-F
描述	128 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM 16-Mword 】 64-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (16 pcs of 16 M 】 4 components) PC100 SDRAM	128 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM 16-Mword 】 64-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (16 pcs of 16 M 】 4 components) PC100 SDRAM	128 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM 16-Mword 】 64-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (16 pcs of 16 M 】 4 components) PC100 SDRAM
是否Rohs认证	不符合	不符合	-
厂商名称	ELPIDA	ELPIDA	-
零件包装代码	DIMM	DIMM	-
包装说明	DIMM, DIMM144,20	DIMM, DIMM144,20	-
针数	144	144	-
Reach Compliance Code	unknown	unknown	-
ECCN代码	EAR99	EAR99	-
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	-
最长访问时间	8 ns	6 ns	-
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	-
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz	100 MHz	-
I/O 类型	COMMON	COMMON	-
JESD-30 代码	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	-
内存密度	1073741824 bit	1073741824 bit	-
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	-
内存宽度	64	64	-
湿度敏感等级	1	1	-
功能数量	1	1	-
端口数量	1	1	-
端子数量	144	144	-
字数	16777216 words	16777216 words	-
字数代码	16000000	16000000	-
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-
最高工作温度	65 °C	65 °C	-
组织	16MX64	16MX64	-
输出特性	3-STATE	3-STATE	-
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	-
封装代码	DIMM	DIMM	-
封装等效代码	DIMM144,20	DIMM144,20	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	-
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	-
电源	3.3 V	3.3 V	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-
刷新周期	4096	4096	-
自我刷新	YES	YES	-
最大待机电流	0.016 A	0.016 A	-
最大压摆率	1.76 mA	1.76 mA	-
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	-
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	-
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	-
表面贴装	NO	NO	-
技术	CMOS	CMOS	-
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	-
端子节距	0.5 mm	0.5 mm	-
端子位置	DUAL	DUAL	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-

HB52RD168GB-B6F

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