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HB54A5129FN-10B: 产品描述512MB Unbuffered DDR SDRAM DIMM; 产品类别存储存储; 文件大小181KB，共17页; 制造商ELPIDA; 官网地址http://www.elpida.com/en

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HB54A5129FN-10B概述

512MB Unbuffered DDR SDRAM DIMM

HB54A5129FN-10B规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ELPIDA
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM184
针数	184
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.8 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	125 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N184
内存密度	4831838208 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	184
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	55 °C
最低工作温度
组织	64MX72
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM184
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
自我刷新	YES
最大压摆率	2.205 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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DATA SHEET

512MB Unbuffered DDR SDRAM DIMM

HB54A5128FN-A75B/B75B/10B

(64M words

64 bits, 2 Banks)

HB54A5129FN-A75B/B75B/10B

(64M words

72 bits, 2 Banks)

Description

The HB54A5128FN, HB54A5129FN are Double Data

Rate (DDR) SDRAM Module, mounted 256M bits DDR

SDRAM (HM5425801BTT) sealed in TSOP package,

and 1 piece of serial EEPROM (2k bits EEPROM) for

Presence Detect (PD).

The HB54A5128FN is

organized as 32M

2 banks mounted 16 pieces

of 256M bits DDR SDRAM. The HB54A5129FN is

organized as 32M

2 banks mounted 18 pieces

of 256M bits DDR SDRAM. Read and write operations

are performed at the cross points of the CK and the

/CK. This high-speed data transfer is realized by the 2

bits prefetch-pipelined architecture. Data strobe (DQS)

both for read and write are available for high speed and

reliable data bus design. By setting extended mode

set enable or disable. An outline of the products is

184-pin socket type package (dual lead out).

Therefore, it makes high density mounting possible

without surface mount technology. It provides common

data inputs and outputs. Decoupling capacitors are

mounted beside each TSOP on the module board.

Features

•

184-pin socket type package (dual lead out)



Outline: 133.35mm (Length)

31.75mm (Height)

4.00mm (Thickness)



Lead pitch: 1.27mm

•

2.5V power supply (VCC/VCCQ)

•

SSTL-2 interface for all inputs and outputs

•

Clock frequency: 143MHz/133MHz/125MHz (max.)

•

Data inputs, outputs and DM are synchronized with

DQS

•

4 banks can operate simultaneously and

independently (Component)

•

Burst read/write operation

•

Programmable burst length: 2, 4, 8



Burst read stop capability

•

Programmable burst sequence



Sequential



Interleave

•

Start addressing capability



Even and Odd

•

Programmable /CAS latency (CL): 2, 2.5

•

8192 refresh cycles: 7.8µs (8192/64ms)

•

2 variations of refresh



Auto refresh



Self refresh

Document No. E0087H40 (Ver. 4.0)

Date Published August 2002 (K) Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida

Memory, Inc. 2001-2002

Hitachi,

Ltd. 2000

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

HB54A5129FN-10B相似产品对比

	HB54A5129FN-10B	HB54A5129FN-B75B	HB54A5128FN-B75B	HB54A5128FN-A75B	HB54A5128FN-10B
描述	512MB Unbuffered DDR SDRAM DIMM	512MB Unbuffered DDR SDRAM DIMM	512MB Unbuffered DDR SDRAM DIMM	512MB Unbuffered DDR SDRAM DIMM	512MB Unbuffered DDR SDRAM DIMM
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	ELPIDA	ELPIDA	ELPIDA	ELPIDA	ELPIDA
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184
针数	184	184	184	184	184
Reach Compliance Code	unknow	unknown	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.8 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.8 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	125 MHz	133 MHz	133 MHz	143 MHz	125 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184
内存密度	4831838208 bi	4831838208 bit	4294967296 bi	4294967296 bi	4294967296 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72	72	64	64	64
湿度敏感等级	1	1	1	1	1
功能数量	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1
端子数量	184	184	184	184	184
字数	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words
字数代码	64000000	64000000	64000000	64000000	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	55 °C	55 °C	55 °C	55 °C	55 °C
组织	64MX72	64MX72	64MX64	64MX64	64MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	225	225	225
电源	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES
最大压摆率	2.205 mA	2.34 mA	2.08 mA	2.2 mA	1.96 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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