2N6049.MODR1,2N6049.MODR1 pdf中文资料,2N6049.MODR1引脚图,2N6049.MODR1电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2N6049.MODR1

2N6049.MODR1: 产品描述Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小12KB，共1页; 制造商TT Electronics plc; 官网地址http://www.ttelectronics.com/; 标准

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2N6049.MODR1概述

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN

2N6049.MODR1规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	4 A
集电极-发射极最大电压	55 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	25
JEDEC-95代码	TO-213AA
JESD-30 代码	O-MBFM-P2
JESD-609代码	e1
元件数量	1
端子数量	2
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	TIN SILVER COPPER
端子形式	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	3 MHz
Base Number Matches	1

2N6049.MODR1相似产品对比

	2N6049.MODR1	2N6049R1	2N6049.MOD	2N6049
描述	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN
是否Rohs认证	符合	符合	不符合	不符合
包装说明	HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN	HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN	HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN	HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	4 A	4 A	4 A	4 A
集电极-发射极最大电压	55 V	55 V	55 V	55 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	25	25	25	25
JEDEC-95代码	TO-213AA	TO-213AA	TO-213AA	TO-213AA
JESD-30 代码	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2
元件数量	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	3 MHz	3 MHz	3 MHz	3 MHz
Base Number Matches	1	1	1	-

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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