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2N6667

产品描述Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220AB, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小97KB,共1页
制造商Crimson Semiconductor Inc
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2N6667概述

Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220AB, 3 PIN

2N6667规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明TO-220AB, 3 PIN
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)1000
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)26 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)20 MHz
Base Number Matches1
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