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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2N5058R1
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2N5058R1

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小16KB，共2页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2N5058R1概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN

2N5058R1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.15 A
集电极-发射极最大电压300 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)35
JEDEC-95代码TO-205AD
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)30 MHz
Base Number Matches1

2N5058R1相似产品对比

2N5058R1
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN
是否Rohs认证 符合
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.15 A
集电极-发射极最大电压 300 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 35
JEDEC-95代码 TO-205AD
JESD-30 代码 O-MBCY-W3
JESD-609代码 e1
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 200 °C
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 TIN SILVER COPPER
端子形式 WIRE
端子位置 BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 30 MHz
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