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2N3583.MODR1

产品描述1A, 175V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小12KB,共1页
制造商SEMELAB
标准
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2N3583.MODR1概述

1A, 175V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN

2N3583.MODR1规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-66
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压175 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-213AA
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量2
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)10 MHz
Base Number Matches1

2N3583.MODR1相似产品对比

2N3583.MODR1 2N3583.MOD 2N3583R1
描述 1A, 175V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN 1A, 175V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN 1A, 175V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN
是否无铅 不含铅 含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 不符合 符合
零件包装代码 TO-66 TO-66 TO-66
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数 2 2 2
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A
集电极-发射极最大电压 175 V 175 V 175 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40 40 40
JEDEC-95代码 TO-213AA TO-213AA TO-213AA
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
封装主体材料 METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 10 MHz 10 MHz 10 MHz
Base Number Matches 1 1 1
JESD-609代码 e1 - e1
端子面层 TIN SILVER COPPER - TIN SILVER COPPER
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