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2SD287CS

产品描述Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小96KB,共3页
制造商NEC(日电)
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2SD287CS概述

Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,

2SD287CS规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压150 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值100 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)8 MHz
VCEsat-Max2 V
Base Number Matches1
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