电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

S-L2SB1197KRLT3G

产品描述Small Signal Bipolar Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小114KB,共3页
制造商LRC
官网地址http://www.lrc.cn
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

S-L2SB1197KRLT3G概述

Small Signal Bipolar Transistor,

S-L2SB1197KRLT3G规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
Low Frequency Transistor
PNP Silicon
FEATURE
High current capacity in compact package.
I
C
= 0.8A.
Epitaxial planar type.
NPN complement: L2SD1781K
L2SB1197KQLT1G Series
S-L2SB1197KQ LT1G Series
3
1
2
SOT– 23 (TO–236AB)
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION
Device
L2SB1197KQLT1G
S-L2SB1197KQLT1G
L2SB1197KQLT3G
S-L2SB1197KQLT3G
L2SB1197KRLT1G
S-L2SB1197KRLT1G
L2SB1197KRLT3G
S-L2SB1197KRLT3G
Marking
AHQ
AHQ
AHR
AHR
Shipping
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
3
COLLECTOR
1
BASE
2
EMITTER
MAXIMUM RATINGS(Ta=25
C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
Limits
−40
−32
−5
−0.8
0.2
150
−55
to 150
Unit
V
V
V
A
W
°C
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25
C)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
f
T
Cob
Min.
−40
−32
−5
120
Typ.
200
12
Max.
−0.5
−0.5
−0.5
390
30
Unit
V
V
V
I
C
= −50µ
A
I
C
= −1mA
I
E
= −50µ
A
V
CB
= −20V
V
EB
= −4V
I
C
/I
B
= −0.5A/ −50mA
V
CE
= −3V,
I
C
= −100mA
V
CE
= −5V,
I
E
=50mA,
f=100MHz
V
CB
= −10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
Conditions
µ
A
µ
A
V
MHz
pF
h
FE
values are classified as follows :
Item(*)
h
FE
Q
120~270
R
180~390
Rev.O 1/3

S-L2SB1197KRLT3G相似产品对比

S-L2SB1197KRLT3G S-L2SB1197KQLT1G S-L2SB1197KQLT3G S-L2SB1197KRLT1G
描述 Small Signal Bipolar Transistor, Small Signal Bipolar Transistor, Small Signal Bipolar Transistor, Small Signal Bipolar Transistor,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
Base Number Matches 1 1 1 1
关于一个延迟程序
DELAY :MOV TMOD,#00000001B SETB TR0 MOV TL0,#LOW(65536-6000) MOV TH0,#HIGH(65535-6000) JNB TF0,$ CLR TF0 RET DELAY用于小灯的循环右 ......
safasfasffsa 嵌入式系统
EEWORLD大学堂----TI 高精度实验室 - 运算放大器:电气过应力 (EOS)
TI 高精度实验室 - 运算放大器:电气过应力 (EOS):https://training.eeworld.com.cn/course/1948 哎呀,这是什么味道:为什么“冒烟测试”失败了? 该系列将讲述电气过载的成因并介绍可用 ......
hi5 聊聊、笑笑、闹闹
业余时间——iPhone4S换屏记
每天除了工作大家的业余时间都是怎么渡过的呢?看见大家都发帖展示自己业余时间的小成果,顿时觉得手痒了。碰巧今天一位版主说他的iPhone4屏幕碎了:Sweat:好吧,今天就教大家如何给iPhone4/4s换 ......
eric_wang 创意市集
超人必需品,飞人翅膀
有了他你就不要羡慕超人可以自由飞了,你也可做到。不过要敢死队员才可以由德国发明家阿尔班-盖斯勒专门为跳伞爱好者设计。这种翅膀不致使人在空中像石头那样自由落体下降,它会让人在空中以每 ......
xyh_521 创意市集
3gpp/3gpp2的下载地址
3gpp/3gpp2的下载地址大家可以自己下载,http://www.3gpp.org/ftp/Specs/说明文件http://www.3gpp.org/specs/numbering.htm 补充一下3GPP2的http://www.3gpp2.org/Public_html/specs/...
2345 无线连接
2007全国电子设计竞赛题A题
2007全国电子设计竞赛题A题...
wangwei20060608 单片机

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 894  115  983  2868  1046  18  3  20  58  22 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved