Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, SC-43B, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | SC-43B, 3 PIN |
Reach Compliance Code | compliant |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
基于收集器的最大容量 | 6 pF |
集电极-发射极最大电压 | 50 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 90 |
JEDEC-95代码 | TO-92 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 125 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | PNP |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 180 MHz |
VCEsat-Max | 0.3 V |
Base Number Matches | 1 |
2SA733R | 2SA733E | 2SA733 | 2SA733P | 2SA733Q | |
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描述 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, SC-43B, 3 PIN | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, SC-43B, 3 PIN | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, SC-43B, 3 PIN | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, SC-43B, 3 PIN | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, SC-43B, 3 PIN |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
包装说明 | SC-43B, 3 PIN | SC-43B, 3 PIN | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | SC-43B, 3 PIN | SC-43B, 3 PIN |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A | 0.1 A | 0.1 A | 0.1 A | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压 | 50 V | 50 V | 50 V | 50 V | 50 V |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 90 | 300 | 90 | 200 | 135 |
JEDEC-95代码 | TO-92 | TO-92 | TO-92 | TO-92 | TO-92 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | PNP | PNP | PNP | PNP | PNP |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 180 MHz | 180 MHz | 180 MHz | 180 MHz | 180 MHz |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
基于收集器的最大容量 | 6 pF | - | - | 6 pF | 6 pF |
最高工作温度 | 125 °C | - | - | 125 °C | 125 °C |
VCEsat-Max | 0.3 V | - | - | 0.3 V | 0.3 V |
厂商名称 | - | - | NEC(日电) | NEC(日电) | NEC(日电) |
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