Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205AD
| 参数名称 | 属性值 |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.6 A |
| 基于收集器的最大容量 | 30 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 40 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 30 |
| JEDEC-95代码 | TO-205AD |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 功耗环境最大值 | 2 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 参考标准 | MIL |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 60 MHz |
| 最大关闭时间（toff） | 35 ns |
| 最大开启时间（吨） | 45 ns |
| VCEsat-Max | 1.5 V |
| Base Number Matches | 1 |
| JAN2N1132A | JAN2N1132 | |
|---|---|---|
| 描述 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205AD | 600mA, 35V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.6 A | 0.6 A |
| 基于收集器的最大容量 | 30 pF | 45 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 40 V | 35 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 30 | 30 |
| JEDEC-95代码 | TO-205AD | TO-205AD |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 200 °C | 200 °C |
| 封装主体材料 | METAL | METAL |
| 封装形状 | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型 | PNP | PNP |
| 功耗环境最大值 | 2 W | 2 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 参考标准 | MIL | MIL |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子形式 | WIRE | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 60 MHz | 60 MHz |
| VCEsat-Max | 1.5 V | 1.5 V |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
微控制器 MCU
无线连接
嵌入式系统
stm32/stm8
stm32/stm8
PCB设计
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
