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2N1132A

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205AD
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小150KB,共3页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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2N1132A概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205AD

2N1132A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.6 A
基于收集器的最大容量30 pF
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JEDEC-95代码TO-205AD
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值2 W
最大功率耗散 (Abs)0.6 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)60 MHz
最大关闭时间(toff)35 ns
最大开启时间(吨)45 ns
VCEsat-Max1.5 V
Base Number Matches1

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