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2N2894CSMG4

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOT-23 COMPATIBLE, LCC1-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小19KB,共2页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
标准
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2N2894CSMG4概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOT-23 COMPATIBLE, LCC1-3

2N2894CSMG4规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压12 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
JESD-30 代码R-CDSO-N3
JESD-609代码e4
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层GOLD
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)400 MHz
最大关闭时间(toff)9 ns
最大开启时间(吨)60 ns
Base Number Matches1

2N2894CSMG4相似产品对比

2N2894CSMG4
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOT-23 COMPATIBLE, LCC1-3
是否Rohs认证 符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC) 0.2 A
集电极-发射极最大电压 12 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 25
JESD-30 代码 R-CDSO-N3
JESD-609代码 e4
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 200 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 GOLD
端子形式 NO LEAD
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 400 MHz
最大关闭时间(toff) 9 ns
最大开启时间(吨) 60 ns
Base Number Matches 1

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