Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOT-23 COMPATIBLE, LCC1-3
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | HIGH RELIABILITY |
最大集电极电流 (IC) | 0.2 A |
集电极-发射极最大电压 | 12 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 25 |
JESD-30 代码 | R-CDSO-N3 |
JESD-609代码 | e4 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 200 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | PNP |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | GOLD |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 400 MHz |
最大关闭时间(toff) | 9 ns |
最大开启时间(吨) | 60 ns |
Base Number Matches | 1 |
2N2894CSMG4 | |
---|---|
描述 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOT-23 COMPATIBLE, LCC1-3 |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | HIGH RELIABILITY |
最大集电极电流 (IC) | 0.2 A |
集电极-发射极最大电压 | 12 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 25 |
JESD-30 代码 | R-CDSO-N3 |
JESD-609代码 | e4 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 200 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | PNP |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | GOLD |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 400 MHz |
最大关闭时间(toff) | 9 ns |
最大开启时间(吨) | 60 ns |
Base Number Matches | 1 |
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