Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 22000mA I(T), 600V V(DRM), 1 Element, TO-48
参数名称 | 属性值 |
包装说明 | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2 |
Reach Compliance Code | unknown |
外壳连接 | ANODE |
配置 | SINGLE |
关态电压最小值的临界上升速率 | 100 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 40 mA |
最大直流栅极触发电压 | 3 V |
最大维持电流 | 100 mA |
JEDEC-95代码 | TO-48 |
JESD-30 代码 | O-MUPM-D2 |
最大漏电流 | 3.3 mA |
通态非重复峰值电流 | 300 A |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最大通态电流 | 22000 A |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -45 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | POST/STUD MOUNT |
认证状态 | Not Qualified |
最大均方根通态电流 | 35 A |
重复峰值关态漏电流最大值 | 1 µA |
断态重复峰值电压 | 600 V |
表面贴装 | NO |
端子形式 | SOLDER LUG |
端子位置 | UPPER |
触发设备类型 | SCR |
Base Number Matches | 1 |
器件名 | 厂商 | 描述 |
---|---|---|
2N5204 | Semitronics Corp | Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 22000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-48, |
C35A | SENSITRON | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 50V V(RRM), Silicon, C35, 2 PIN |
2N3896 | Digitron | SILICON CONTROLLED RECTIFIERS REVERSE BLOCKING TRIODE THYRISTOR |
NTE5542 | NTE | Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 35000mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-48, |
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