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2SD1006HM

产品描述Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, POWER, MINIMOLD PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小2MB,共4页
制造商NEC(日电)
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2SD1006HM概述

Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, POWER, MINIMOLD PACKAGE-3

2SD1006HM规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称NEC(日电)
零件包装代码SC-62
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.7 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)90
JESD-30 代码R-PSSO-F3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)90 MHz
Base Number Matches1
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