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2N1100

产品描述Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 1-Element, PNP, Germanium, TO-36, Metal, 2 Pin, TO-36, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小92KB,共1页
制造商Crimson Semiconductor Inc
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2N1100概述

Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 1-Element, PNP, Germanium, TO-36, Metal, 2 Pin, TO-36, 2 PIN

2N1100规格参数

参数名称属性值
包装说明TO-36, 2 PIN
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)15 A
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
JEDEC-95代码TO-36
JESD-30 代码O-MBPM-D2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度95 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)30 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)0.01 MHz
Base Number Matches1

2N1100相似产品对比

2N1100 2N174
描述 Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 1-Element, PNP, Germanium, TO-36, Metal, 2 Pin, TO-36, 2 PIN Power Bipolar Transistor, 15A I(C), PNP, Germanium, TO-36, Metal, 2 Pin, TO-36, 2 PIN
包装说明 TO-36, 2 PIN TO-36, 2 PIN
Reach Compliance Code unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 15 A 15 A
配置 SINGLE Single
最小直流电流增益 (hFE) 25 25
JEDEC-95代码 TO-36 TO-36
JESD-30 代码 O-MBPM-D2 O-MBPM-D2
端子数量 2 2
最高工作温度 95 °C 95 °C
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT
极性/信道类型 PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 30 W 30 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 SOLDER LUG SOLDER LUG
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 GERMANIUM GERMANIUM
标称过渡频率 (fT) 0.01 MHz 0.01 MHz
Base Number Matches 1 1
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