2N6788L,2N6788L pdf中文资料,2N6788L引脚图,2N6788L电路-Datasheet-电子工程世界

2N6788L: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小12KB，共1页; 制造商TT Electronics plc; 官网地址http://www.ttelectronics.com/

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2N6788L概述

Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN

2N6788L规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (ID)	4.5 A
最大漏源导通电阻	0.3 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-205AF
JESD-30 代码	O-MBCY-W3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

2N6788L相似产品对比

	2N6788L	2N6788LR1
描述	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN
是否Rohs认证	不符合	符合
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
配置	SINGLE	SINGLE
最小漏源击穿电压	100 V	100 V
最大漏极电流 (ID)	4.5 A	4.5 A
最大漏源导通电阻	0.3 Ω	0.3 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-205AF	TO-205AF
JESD-30 代码	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1

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