电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

HM5116405LS-6

产品描述16 M EDO DRAM (4-Mword ⅴ 4-bit) 4 k Refresh/2 k Refresh
产品类别存储    存储   
文件大小507KB,共34页
制造商ELPIDA
官网地址http://www.elpida.com/en
下载文档 详细参数 全文预览

HM5116405LS-6概述

16 M EDO DRAM (4-Mword ⅴ 4-bit) 4 k Refresh/2 k Refresh

HM5116405LS-6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ELPIDA
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ, SOJ24/26,.34
针数24
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/BATTERY BACKUP REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J24
JESD-609代码e0
长度16.9 mm
内存密度16777216 bi
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量24
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ24/26,.34
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度3.76 mm
自我刷新YES
最大待机电流0.00015 A
最大压摆率0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm

文档预览

下载PDF文档
EO
Description
Features
HM5116405 Series
HM5117405 Series
16 M EDO DRAM (4-Mword
×
4-bit)
4 k Refresh/2 k Refresh
The HM5116405 Series, HM5117405 Series are CMOS dynamic RAMs organized 4,194,304-word
×
4-bit.
They employ the most advanced CMOS technology for high performance and low power. The
HM5116405 Series, HM5117405 Series offer Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed
access mode. They have package variations of standard 26-pin plastic SOJ and standard 26-pin plastic
TSOP II.
Single 5 V (±10%)
Access time: 50 ns/60 ns/70 ns (max)
Power dissipation
Active mode : 495 mW/440 mW/385 mW (max) (HM5116405 Series)
: 550 mW/495 mW/440 mW (max) (HM5117405 Series)
Standby mode : 11 mW (max)
: 0.83 mW (max) (L-version)
EDO page mode capability
Long refresh period
4096 refresh cycles : 64 ms (HM5116405 Series)
: 128 ms (L-version)
2048 refresh cycles : 32 ms (HM5117405 Series)
: 128 ms (L-version)
3 variations of refresh
RAS-only
refresh
CAS-before-RAS
refresh
Hidden refresh
Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.
LP
E0151H10 (Ver. 1.0)
(Previous ADE-203-633D (Z))
Jul. 6, 2001 (K)
ro
du
ct
请教版主,STM8103F3的HSI精度如何?
你可以看看数据手册,里面有图表说明。...
clio4177 stm32/stm8
如何准备2011年的全国大学生电子设计竞赛(转)
本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 09:15 编辑 一、先确定好,你到底决心参加吗?你还有其它的事会阻绕你参加吗?人嘛!总得遇到几个岔路口,既然...
open82977352 电子竞赛
请教sallen key 滤波问题
问题在附件。 ...
captzs 模拟电子
如何优雅辞职不反目?
人在江湖漂,谁人不跳槽。在拿到心仪公司发出的offer时,如何优雅地从现在的公司辞职才是关键。另有高就,是否如实告知辞职理由?当面提出辞职还是写一封辞职信?是否要熬到拿到赔偿再离开 ......
ESD技术咨询 工作这点儿事
转贴:做电子工程师一年来的点点滴滴
我是一位电子产品技术研发工程师,08年2月入职,到现在也1年多了,这期间(包括现在)一直呆在一家公司。最近心绪波动很大,在为自己未来职业发展方向作选择的时候摇摆不定、有点迷茫,主客观因 ......
勤奋的小牛 工作这点儿事
学习AVR单片机的好资料--AVR单片机系统开发实用案例精选
AVR单片机系统开发实用案例精选本书以ATmega32为蓝本,通过大量的实际应用案例,详细介绍了AVR单片机应用系统的开发环境和工具、设计流程及软硬件设计一体化的设计方法。   全书共10章。前5 ......
tiankai001 机器人开发

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1613  2642  1631  1007  1554  49  22  14  36  28 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved