电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

HM5164805FJ-6

产品描述64 M EDO DRAM (8-Mword 】 8-bit) 8 k Refresh/4 k Refresh
产品类别存储    存储   
文件大小249KB,共34页
制造商ELPIDA
官网地址http://www.elpida.com/en
下载文档 详细参数 全文预览

HM5164805FJ-6概述

64 M EDO DRAM (8-Mword 】 8-bit) 8 k Refresh/4 k Refresh

HM5164805FJ-6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ELPIDA
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ, SOJ32,.44
针数32
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J32
JESD-609代码e0
长度20.95 mm
内存密度67108864 bi
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量32
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ32,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度3.76 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.0005 A
最大压摆率0.105 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm

文档预览

下载PDF文档
HM5164805F Series
HM5165805F Series
EO
Description
Features
64 M EDO DRAM (8-Mword
×
8-bit)
8 k Refresh/4 k Refresh
E0098H10 (1st edition)
(Previous ADE-203-1057C (Z))
Jan. 31, 2001
The HM5164805F S erie s, HM5165805F S erie s ar e 64M-bit dynamic R AMs orga nized as 8, 388,608-w ord
×
8-bit. The y have re alize d high per forma nce and low powe r by employing C MOS proc ess tec hnology.
HM5164805F S erie s, HM5165805F S erie s off er Extende d Da ta Out (ED O) P age Mode as a high spee d
ac ce ss mode. The y have the pac kage var iation of standa rd 32-pin plastic S OJ and standa rd 32-pin plastic
TSOPII.
Single 3.3 V supply: 3.3 V ± 0.3 V
Access time: 50 ns/60 ns (max)
Power dissipation
Active: 414 mW/378 mW (max) (HM5164805F Series)
: 486 mW/414 mW (max) (HM5165805F Series)
Standby : 1.8 mW (max) (CMOS interface)
: 1.1 mW (max) (L-version)
EDO page mode capability
Refresh cycles
RAS-only
refresh
8192 cycles /64 ms (HM5164805F, HM5164805FL)
4096 cycles /64 ms (HM5165805F, HM5165805FL)
CBR/Hidden refresh
4096 cycles /64 ms (HM5164805F, HM5164805FL, HM5165805F, HM5165805FL)
Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.
L
o
Pr
du
ct
CE6的内核大小是否有限制呀?
先介绍我的OS XIP的内核 TINNK.bin 4957KB NK.bin 46450KB XIP.bin 51408KB 内存给TINK分配了7M RAM最后还剩44.75M 现在我就找到的规律就是 只要XIP.BIN大于50M 系统启动到一个 ......
sjhlhj 嵌入式系统
DSP硬件设计的几个注意事项
数字信号处理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(时钟性能超过100MHZ)和高速先进外围设备,通过CMOS处理技术,DSP芯片的功耗越来越低。这些巨大的进步增加了DSP电路板设计的复杂性,并且同简单的 ......
Aguilera DSP 与 ARM 处理器
STC51单片机中断技术比实际多咋办
求教高手看下我这个51中断计数问题;磁开关快速通过磁铁基本正常,慢了就会多记;程序如下。 #include #include //volatile unsigned int count=0; sbit key=P3^2; //延时函 ......
yangxf1217 51单片机
自已动手制作AVR仿真器用到的烧录文件
自已动手制作AVR仿真器用到的烧录文件...
feifei Microchip MCU
WINCE下载问题(NK.BIN > 32M)
定制OS,同时我增加了中文字体支持, 但编译出来的NK.bin超过32M(我已经设置了IMGRAM64=1), NK.bk0有80M左右,但用DWN下载的时候,总是报错, 错误如下: Download BIN file informati ......
chenjian3 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2279  1248  1615  2241  2596  59  41  53  6  34 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved