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HM5164805FTT-5

产品描述64 M EDO DRAM (8-Mword 】 8-bit) 8 k Refresh/4 k Refresh
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文件大小249KB,共34页
制造商ELPIDA
官网地址http://www.elpida.com/en
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HM5164805FTT-5概述

64 M EDO DRAM (8-Mword 】 8-bit) 8 k Refresh/4 k Refresh

HM5164805FTT-5规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ELPIDA
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSOP32,.46
针数32
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间50 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e0
长度20.95 mm
内存密度67108864 bi
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量32
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP32,.46
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.0005 A
最大压摆率0.115 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm

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HM5164805F Series
HM5165805F Series
EO
Description
Features
64 M EDO DRAM (8-Mword
×
8-bit)
8 k Refresh/4 k Refresh
E0098H10 (1st edition)
(Previous ADE-203-1057C (Z))
Jan. 31, 2001
The HM5164805F S erie s, HM5165805F S erie s ar e 64M-bit dynamic R AMs orga nized as 8, 388,608-w ord
×
8-bit. The y have re alize d high per forma nce and low powe r by employing C MOS proc ess tec hnology.
HM5164805F S erie s, HM5165805F S erie s off er Extende d Da ta Out (ED O) P age Mode as a high spee d
ac ce ss mode. The y have the pac kage var iation of standa rd 32-pin plastic S OJ and standa rd 32-pin plastic
TSOPII.
Single 3.3 V supply: 3.3 V ± 0.3 V
Access time: 50 ns/60 ns (max)
Power dissipation
Active: 414 mW/378 mW (max) (HM5164805F Series)
: 486 mW/414 mW (max) (HM5165805F Series)
Standby : 1.8 mW (max) (CMOS interface)
: 1.1 mW (max) (L-version)
EDO page mode capability
Refresh cycles
RAS-only
refresh
8192 cycles /64 ms (HM5164805F, HM5164805FL)
4096 cycles /64 ms (HM5165805F, HM5165805FL)
CBR/Hidden refresh
4096 cycles /64 ms (HM5164805F, HM5164805FL, HM5165805F, HM5165805FL)
Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.
L
o
Pr
du
ct
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