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HM5165165FLTT-6: 产品描述64M EDO DRAM (4-Mword 】 16-bit) 8k refresh/4k refresh; 产品类别存储存储; 文件大小278KB，共36页; 制造商ELPIDA; 官网地址http://www.elpida.com/en

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HM5165165FLTT-6概述

64M EDO DRAM (4-Mword 】 16-bit) 8k refresh/4k refresh

HM5165165FLTT-6规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ELPIDA
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSOP50,.46,32
针数	50
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G50
JESD-609代码	e0
长度	20.95 mm
内存密度	67108864 bi
内存集成电路类型	EDO DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	50
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSOP50,.46,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
最大待机电流	0.0003 A
最大压摆率	0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm

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HM5164165F Series

HM5165165F Series

64M EDO DRAM (4-Mword

16-bit)

8k refresh/4k refresh

Description

Features

E0099H10 (1st edition)

(Previous ADE-203-1058C(Z))

Jan. 31, 2001

The HM5164165F S erie s, HM5165165F S erie s ar e 64M-bit dynamic R AMs orga nized as 4, 194,304-w ord

16-bit. The y have re alize d high per forma nce and low powe r by employing C MOS proc ess tec hnology.

HM5164165F Series, HM5165165F Series offer Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed access

mode. They have the package variations of standard 50-pin plastic SOJ and standerd 50-pin plastic TSOPII

•

Single 3.3 V supply: 3.3 V ± 0.3 V

•

Access time: 50 ns/60 ns (max)

•

Power dissipation

⎯

Active: 432 mW/396 mW (max) (HM5164165F Series)

: 504 mW/432 mW (max) (HM5165165F Series)

⎯

Standby : 1.8 mW (max) (CMOS interface)

: 1.1 mW (max) (L-version)

•

EDO page mode capability

•

Refresh cycles

⎯

RAS-only

refresh

8192 cycles /64 ms (HM5164165F, HM5164165FL)

4096 cycles /64 ms (HM5165165F, HM5165165FL)

⎯

CBR/Hidden refresh

4096 cycles /64 ms (HM5164165F, HM5164165FL, HM5165165F, HM5165165FL)

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

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