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HM51W17805J-6

产品描述16 M EDO DRAM (2-Mword x 8-bit) 2 k Refresh
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文件大小494KB,共32页
制造商ELPIDA
官网地址http://www.elpida.com/en
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HM51W17805J-6概述

16 M EDO DRAM (2-Mword x 8-bit) 2 k Refresh

HM51W17805J-6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ELPIDA
Objectid1999132205
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ, SOJ28,.44
针数28
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
compound_id9573367
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J28
JESD-609代码e0
长度18.17 mm
内存密度16777216 bi
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ28,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
座面最大高度3.76 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm

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HM51W17805 Series
16 M EDO DRAM (2-Mword
×
8-bit)
2 k Refresh
EO
Description
Features
E0155H10 (Ver. 1.0)
(Previous ADE-203-631D (Z))
Jun. 27, 2001
The HM51W 17805 is a C MOS dynamic R AM orga nized 2, 097,152-w ord
×
8-bit. It employs the most
adva nce d C MOS tec hnology for high per forma nce and low powe r. The HM51W 17805 off ers Extende d Da ta
Out (ED O) P age Mode as a high spee d ac ce ss mode. Multiplexe d addr ess input per mits the HM51W 17805 to
be packaged in standard 28-pin plastic SOJ and 28-pin TSOP.
Single 3.3 V (±0.3 V)
Access time: 50 ns/60 ns/70 ns (max)
Power dissipation
Active mode: 396 mW/360 mW/324 mW (max)
Standby mode : 7.2 mW (max)
: 0.54 mW (max) (L-version)
EDO page mode capability
Long refresh period
2048 refresh cycles : 32 ms
: 128 ms (L-version)
4 variations of refresh
RAS-only
refresh
CAS-before-RAS
refresh
Hidden refresh
Self refresh (L-version)
Battery backup operation (L-version)
Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.
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