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HM62V8100LBPI-5SL

产品描述1M X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO44
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文件大小122KB,共21页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HM62V8100LBPI-5SL概述

1M X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO44

1M × 8 标准存储器, 55 ns, PDSO44

HM62V8100LBPI-5SL规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA48,6X8,30
针数48
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间55 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e0
长度9.8 mm
内存密度8388608 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量48
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA48,6X8,30
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最小待机电流2 V
最大压摆率0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度6.5 mm

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To all our customers
Regarding the change of names mentioned in the document, such as Hitachi
Electric and Hitachi XX, to Renesas Technology Corp.
The semiconductor operations of Mitsubishi Electric and Hitachi were transferred to Renesas
Technology Corporation on April 1st 2003. These operations include microcomputer, logic, analog
and discrete devices, and memory chips other than DRAMs (flash memory, SRAMs etc.)
Accordingly, although Hitachi, Hitachi, Ltd., Hitachi Semiconductors, and other Hitachi brand
names are mentioned in the document, these names have in fact all been changed to Renesas
Technology Corp. Thank you for your understanding. Except for our corporate trademark, logo and
corporate statement, no changes whatsoever have been made to the contents of the document, and
these changes do not constitute any alteration to the contents of the document itself.
Renesas Technology Home Page: http://www.renesas.com
Renesas Technology Corp.
Customer Support Dept.
April 1, 2003

HM62V8100LBPI-5SL相似产品对比

HM62V8100LBPI-5SL HM62V8100LBPI-5
描述 1M X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO44 1M X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO44
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码 BGA BGA
包装说明 TFBGA, BGA48,6X8,30 TFBGA, BGA48,6X8,30
针数 48 48
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 55 ns 55 ns
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PBGA-B48 R-PBGA-B48
JESD-609代码 e0 e0
长度 9.8 mm 9.8 mm
内存密度 8388608 bi 8388608 bi
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8
功能数量 1 1
端子数量 48 48
字数 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 1MX8 1MX8
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA
封装等效代码 BGA48,6X8,30 BGA48,6X8,30
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3 V 3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm
最小待机电流 2 V 2 V
最大压摆率 0.025 mA 0.025 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 BALL BALL
端子节距 0.75 mm 0.75 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 6.5 mm 6.5 mm

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