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HMC734LP5

产品描述8600 MHz - 10200 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
产品类别无线/射频/通信    射频和微波   
文件大小253KB,共6页
制造商Hittite Microwave(ADI)
官网地址http://www.hittite.com/
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HMC734LP5概述

8600 MHz - 10200 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER

HMC734LP5规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hittite Microwave(ADI)
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码3A001.A.11.B
特性阻抗50 Ω
构造COMPONENT
JESD-609代码e0
最大工作频率10200 MHz
最小工作频率8600 MHz
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
射频/微波设备类型WIDE BAND LOW POWER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
最大电压驻波比2

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HMC734LP5
/
734LP5E
v03.0609
MMIC VCO w/ DIVIDE-BY-4
8.6 - 10.2 GHz
Typical Applications
The HMC734LP5(E) is ideal for:
• Point-to-Point/Multi-Point Radio
• Test Equipment & Industrial Controls
• SATCOM
• Military End-Use
Features
Dual Output: Fo = 8.6 - 10.2 GHz
Fo/4 = 2.15 - 2.55 GHz
Pout: +18 dBm
Phase Noise: -100 dBc/Hz @ 100 kHz Typ.
No External Resonator Needed
32 Lead 5x5mm SMT Package: 25mm
2
Functional Diagram
General Description
The HMC734LP5(E) is a GaAs InGaP Heterojunc-
tion Bipolar Transistor (HBT) MMIC VCO. The
HMC734LP5(E) integrates a resonator, negative resis-
tance device, varactor diode and features a divide-by-4
frequency output. The VCO’s phase noise perfor-
mance is excellent over temperature, shock, and pro-
cess due to the oscillator’s monolithic structure. Power
output is +18 dBm typical from a +5V supply voltage.
The prescaler function can be disabled to conserve
current if not required. The voltage controlled oscilla-
tor is packaged in a leadless QFN 5x5 mm surface
mount package, and requires no external matching
components.
12
VCOS - SMT
Electrical Specifi cations,
T
A
= +25° C, Vcc (Dig), Vcc (Amp), Vcc (RF) = +5V
Parameter
Frequency Range
Power Output
SSB Phase Noise @ 100 kHz Offset, Vtune= +5V @ RFOUT
Tune Voltage
Supply Current
Tune Port Leakage Current (Vtune= 13V)
Output Return Loss (RFOUT)
Harmonics/Subharmonics
1/2
2nd
3rd
8
66
15
30
38
30
1.1
Vtune
Icc(Dig) + Icc(Amp) + Icc(RF)
1
180
218
Fo
Fo/4
RFOUT
RFOUT/4
15
-8
-100
13
240
10
Min.
Typ.
8.6 - 10.2
2.15 - 2.55
22
-1
Max.
Units
GHz
GHz
dBm
dBm
dBc/Hz
V
mA
μA
dB
dBc
dBc
MHz pp
MHz/V
MHz/°C
Pulling (into a 2.0:1 VSWR)
Pushing @ Vtune= 5V
Frequency Drift Rate
12 - 208
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373
Order On-line at www.hittite.com

HMC734LP5相似产品对比

HMC734LP5 HMC734LP5E
描述 8600 MHz - 10200 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER 8600 MHz - 10200 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
是否无铅 含铅 不含铅
是否Rohs认证 不符合 符合
厂商名称 Hittite Microwave(ADI) Hittite Microwave(ADI)
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 3A001.A.11.B 3A001.A.11.B
特性阻抗 50 Ω 50 Ω
构造 COMPONENT COMPONENT
JESD-609代码 e0 e3
最大工作频率 10200 MHz 10200 MHz
最小工作频率 8600 MHz 8600 MHz
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
射频/微波设备类型 WIDE BAND LOW POWER WIDE BAND LOW POWER
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn)
最大电压驻波比 2 2
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