Serial Peripheral Interface Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | TSSOP, |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 3 MHz |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| 长度 | 4.4 mm |
| 内存密度 | 65536 bi |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 8192 words |
| 字数代码 | 8000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 8KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.1 mm |
| 串行总线类型 | SPI |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
| 宽度 | 3 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 8 ms |
| HN58X2564TIAG | HN58X2532FPIAG | HN58X2532IAG | HN58X2564FPIAG | HN58X2532TIAG | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | Serial Peripheral Interface Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory | Serial Peripheral Interface Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory | Serial Peripheral Interface Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory | Serial Peripheral Interface Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory | Serial Peripheral Interface Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | - | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
| 零件包装代码 | SOIC | SOIC | - | SOIC | SOIC |
| 包装说明 | TSSOP, | SOP, | - | SOP, | TSSOP, |
| 针数 | 8 | 8 | - | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknown | - | unknow | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 3 MHz | 3 MHz | - | 3 MHz | 3 MHz |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 | - | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
| 长度 | 4.4 mm | 4.89 mm | - | 4.89 mm | 4.4 mm |
| 内存密度 | 65536 bi | 32768 bit | - | 65536 bi | 32768 bi |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | - | EEPROM | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | - | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | - | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 | - | 8 | 8 |
| 字数 | 8192 words | 4096 words | - | 8192 words | 4096 words |
| 字数代码 | 8000 | 4000 | - | 8000 | 4000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | - | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | - | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 8KX8 | 4KX8 | - | 8KX8 | 4KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP | SOP | - | SOP | TSSOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE | - | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 并行/串行 | SERIAL | SERIAL | - | SERIAL | SERIAL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.1 mm | 1.73 mm | - | 1.73 mm | 1.1 mm |
| 串行总线类型 | SPI | SPI | - | SPI | SPI |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | - | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | - | 1.8 V | 1.8 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V | 2.5 V | - | 2.5 V | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | - | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | - | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | - | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | - | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm | 1.27 mm | - | 1.27 mm | 0.65 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | - | DUAL | DUAL |
| 宽度 | 3 mm | 3.9 mm | - | 3.9 mm | 3 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 8 ms | 8 ms | - | 8 ms | 8 ms |
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