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50FXFH13

产品描述50 A, 3300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小111KB,共2页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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50FXFH13概述

50 A, 3300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

50FXFH13规格参数

参数名称属性值
包装说明O-XUFM-D1
针数2
制造商包装代码3-29A1B
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
应用FAST RECOVERY
外壳连接ANODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.7 V
JESD-30 代码O-XUFM-D1
最大非重复峰值正向电流1100 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流50 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压3300 V
最大反向恢复时间2 µs
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
Base Number Matches1

50FXFH13相似产品对比

50FXFH13 50FXFG13
描述 50 A, 3300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 50 A, 3300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
包装说明 O-XUFM-D1 O-XUFM-D1
针数 2 2
制造商包装代码 3-29A1B 3-29A1A
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
应用 FAST RECOVERY FAST RECOVERY
外壳连接 ANODE CATHODE
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.7 V 1.7 V
JESD-30 代码 O-XUFM-D1 O-XUFM-D1
最大非重复峰值正向电流 1100 A 1100 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 1 1
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
最大输出电流 50 A 50 A
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 3300 V 3300 V
最大反向恢复时间 2 µs 2 µs
表面贴装 NO NO
端子形式 SOLDER LUG SOLDER LUG
端子位置 UPPER UPPER
Base Number Matches 1 1

 
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