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IRF630A: 产品描述9 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小226KB，共2页; 制造商ISC; 官网地址http://www.iscsemi.cn/

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IRF630A概述

9 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

9 A, 200 V, 0.4 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB

IRF630A规格参数

参数名称	属性值
最小击穿电压	200 V
端子数量	3
加工封装描述	TO-220, 3 PIN
状态	Active
额定雪崩能量	162 mJ
结构	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏电流	9 A
最大漏极导通电阻	0.4000 ohm
场效应晶体管技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
jedec_95_code	TO-220AB
jesd_30_code	R-PSFM-T3
jesd_609_code	e0
moisture_sensitivity_level	NOT SPECIFIED
元件数量	1
操作模式	ENHANCEMENT MODE
包装材料	PLASTIC/EPOXY
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	FLANGE MOUNT
eak_reflow_temperature__cel_	NOT SPECIFIED
larity_channel_type	N-CHANNEL
最大漏电流脉冲	36 A
qualification_status	COMMERCIAL
表面贴装	NO
端子涂层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
ime_peak_reflow_temperature_max__s_	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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INCHANGE Semiconductor

isc

Product Specification

isc N-Channel MOSFET Transistor

IRF630A

DESCRIPTION

·Drain

Current –I

=9A@ T

=25℃

·Drain

Source Voltage-

: V

DSS

= 200V(Min)

·Static

Drain-Source On-Resistance

: R

DS(on)

= 0.4Ω(Max)

·Fast

Switching Speed

·Low

Drive Requirement

APPLICATIONS

·This

device is n-channel, enhancement mode, power MOSFET

designed especially for high power, high speed applications,

such as switching power supplies,UPS, AC and DC motor con-

trols, relay and solenoid drivers and high energy pulse circuits.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

=25℃)

SYMBOL

DSS

tot

stg

ARAMETER

Drain-Source Voltage (V

=0)

Gate-Source Voltage

Drain Current-continuous@ TC=25℃

Total Dissipation@TC=25℃

.cn

.is

VALUE

200

UNIT

±30

150

-55~150

℃

Max. Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

th j-c

th j-a

PARAMETER

Thermal Resistance,Junction to Case

Thermal Resistance,Junction to Ambient

MAX

1.74

62.5

UNIT

℃/W

isc Website：www.iscsemi.cn

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