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IS42S32800D: 产品描述8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA90; 产品类别存储; 文件大小773KB，共60页; 制造商ISSI(芯成半导体); 官网地址http://www.issi.com/

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IS42S32800D概述

8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA90

8M × 32 同步动态随机存取存储器, 5.4 ns, PBGA90

IS42S32800D规格参数

参数名称	属性值
功能数量	1
端子数量	90
最大工作温度	85 Cel
最小工作温度	-40 Cel
最大供电/工作电压	3.6 V
最小供电/工作电压	3 V
额定供电电压	3.3 V
加工封装描述	8 X 13 MM, LEAD FREE, FBGA-90
无铅	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
状态	ACTIVE
工艺	CMOS
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
表面贴装	Yes
端子形式	BALL
端子间距	0.8000 mm
端子涂层	TIN SILVER COPPER
端子位置	BOTTOM
包装材料	PLASTIC/EPOXY
温度等级	INDUSTRIAL
内存宽度	32
组织	8M X 32
存储密度	2.68E8 deg
操作模式	SYNCHRONOUS
位数	8.39E6 words
位数	8M
存取方式	FOUR BANK PAGE BURST
内存IC类型	SYNCHRONOUS DRAM
端口数	1
最小存取时间	5.4 ns

IS42S32800D相似产品对比

	IS42S32800D	IS45S32800D-7TLA2	IS45S32800D-7BLA2	IS45S32800D-7BA1
描述	8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA90	8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA90	8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA90	8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA90
功能数量	1	1	1	1
端子数量	90	90	90	90
最大工作温度	85 Cel	85 Cel	85 Cel	85 Cel
最小工作温度	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel
最大供电/工作电压	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电/工作电压	3 V	3 V	3 V	3 V
额定供电电压	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
加工封装描述	8 X 13 MM, LEAD FREE, FBGA-90	8 X 13 MM, LEAD FREE, FBGA-90	8 X 13 MM, LEAD FREE, FBGA-90	8 X 13 MM, LEAD FREE, FBGA-90
无铅	Yes	Yes	Yes	Yes
欧盟RoHS规范	Yes	Yes	Yes	Yes
状态	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE
工艺	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
包装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
包装尺寸	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
表面贴装	Yes	Yes	Yes	Yes
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL
端子间距	0.8000 mm	0.8000 mm	0.8000 mm	0.8000 mm
端子涂层	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
包装材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
内存宽度	32	32	32	32
组织	8M X 32	8M X 32	8M X 32	8M X 32
存储密度	2.68E8 deg	2.68E8 deg	2.68E8 deg	2.68E8 deg
操作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
存取方式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
内存IC类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
端口数	1	1	1	1
最小存取时间	5.4 ns	5.4 ns	5.4 ns	5.4 ns
位数	8M	8M	8M	8M

推荐资源

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ