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IS61VF204818A-7.5B3

产品描述1M X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PDSO100
产品类别存储   
文件大小299KB,共20页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
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IS61VF204818A-7.5B3概述

1M X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PDSO100

1M × 36 高速缓存 静态随机存储器, 7.5 ns, PDSO100

IS61VF204818A-7.5B3规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量100
最大工作温度85 Cel
最小工作温度-40 Cel
最大供电/工作电压3.46 V
最小供电/工作电压3.14 V
额定供电电压3.3 V
最大存取时间7.5 ns
加工封装描述铅 FREE, TQFP-100
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
工艺CMOS
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE, 低 PROFILE, SHRINK PITCH
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子间距0.6500 mm
端子涂层MATTE 锡
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
温度等级INDUSTRIAL
内存宽度36
组织1M × 36
存储密度3.77E7 deg
操作模式同步
位数1.05E6 words
位数1M
内存IC类型高速缓存 静态随机存储器
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