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IS64WV12816DBLL-12BA3

产品描述128K X 16 STANDARD SRAM, 12 ns, PBGA48
产品类别存储   
文件大小202KB,共21页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
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IS64WV12816DBLL-12BA3概述

128K X 16 STANDARD SRAM, 12 ns, PBGA48

128K × 16 标准存储器, 12 ns, PBGA48

IS64WV12816DBLL-12BA3规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量48
最大工作温度125 Cel
最小工作温度-40 Cel
最大供电/工作电压3.6 V
最小供电/工作电压2.4 V
额定供电电压3.3 V
最大存取时间12 ns
加工封装描述6 X 8 MM, LEAD FREE, MINI, BGA-48
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
工艺CMOS
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
表面贴装Yes
端子形式BALL
端子间距0.7500 mm
端子涂层TIN SILVER COPPER
端子位置BOTTOM
包装材料PLASTIC/EPOXY
温度等级AUTOMOTIVE
内存宽度16
组织128K X 16
存储密度2.10E6 deg
操作模式ASYNCHRONOUS
位数131072 words
位数128K
内存IC类型STANDARD SRAM
串行并行PARALLEL
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