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KC858B

产品描述100 mA, 65 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小65KB,共3页
制造商KEXIN
官网地址http://www.kexin.com.cn/html/index.htm
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KC858B概述

100 mA, 65 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

100 mA, 65 V, PNP, 硅, 小信号晶体管

KC858B规格参数

参数名称属性值
端子数量3
晶体管极性PNP
最大集电极电流0.1000 A
最大集电极发射极电压65 V
加工封装描述SOT-23, 3 PIN
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE
元件数量1
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
晶体管类型GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL
最小直流放大倍数125
额定交叉频率150 MHz

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SMD Type
PNP Transistor
KC856A,B/KC857A,B,C/KC858A,B,C
(BC856A,B/BC857A,B,C/BC858A,B,C)
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
Transistors
Unit: mm
Features
+0.1
2.4
-0.1
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
For Switching and AF Amplifier Applications
+0.1
1.3
-0.1
Ideally suited for automatic insertion
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter
KC856
Collector-Base Voltage
KC857
KC858
KC856
Collector-Emitter Voltage
KC857
KC858
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
stg
V
CEO
V
CBO
Symbol
Rating
-80
-50
-30
-65
-45
-30
-5
-0.1
200
150
-65 to +150
V
A
mW
V
V
Unit
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
www.kexin.com.cn
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