1.2 Gb, DDR - SDRAM Integrated Module
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | LOGIC Devices |
| 零件包装代码 | DMA |
| 包装说明 | BGA, BGA219,16X16,50 |
| 针数 | 219 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 0.8 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 100 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| 交错的突发长度 | 2,4,8 |
| JESD-30 代码 | S-XDMA-N219 |
| 长度 | 25 mm |
| 内存密度 | 268435456 bi |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 219 |
| 字数 | 16777216 words |
| 字数代码 | 16000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 16MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | BGA |
| 封装等效代码 | BGA219,16X16,50 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源 | 2.5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 8192 |
| 座面最大高度 | 2.5 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 连续突发长度 | 2,4,8 |
| 最大待机电流 | 0.025 A |
| 最大压摆率 | 1.7 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 25 mm |
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