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1N5292RL

产品描述Current Regulator Diode, 0.62mA I(S), 1.13V V(L), Silicon, DO-204AA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小119KB,共5页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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1N5292RL概述

Current Regulator Diode, 0.62mA I(S), 1.13V V(L), Silicon, DO-204AA

1N5292RL规格参数

参数名称属性值
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性MAXIMUM DYNAMIC IMPEDANCE IS 1.55M OHMS
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型CURRENT REGULATOR DIODE
JEDEC-95代码DO-204AA
JESD-30 代码O-LALF-W2
膝阻抗最大值470000 Ω
最大限制电压1.13 V
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.6 W
认证状态Not Qualified
标称调节电流 (Ireg)0.62 mA
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
技术FIELD EFFECT
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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MOTOROLA
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
Current Regulator Diodes
Field-effect current regulator diodes are circuit elements that provide a current
essentially independent of voltage. These diodes are especially designed for maximum
impedance over the operating range. These devices may be used in parallel to obtain
higher currents.
Manufacturing Locations:
WAFER FAB:
Phoenix, Arizona
ASSEMBLY/TEST:
Phoenix, Arizona
1N5283
through
1N5314
CURRENT
REGULATOR
DIODES
CASE 51-02
MAXIMUM RATINGS
Rating
Peak Operating Voltage
(TJ = –55°C to +200°C)
Steady State Power Dissipation
@ TL = 75°C
Derate above TL = 75°C
Lead Length = 3/8″
(Forward or Reverse Bias)
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Symbol
POV
PD
600
4.8
mW
mW/°C
Value
100
Unit
Volts
TJ, Tstg
–55 to +200
°C
1.5 Watt DC Power Data Sheet
9-2
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