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1N950

产品描述Variable Capacitance Diode, 35pF C(T), 150V, Silicon, Abrupt, DO-7
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小53KB,共1页
制造商Cobham PLC
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1N950概述

Variable Capacitance Diode, 35pF C(T), 150V, Silicon, Abrupt, DO-7

1N950规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压150 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管电容容差20%
最小二极管电容比14.6667
标称二极管电容35 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JEDEC-95代码DO-7
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.4 W
认证状态Not Qualified
最小质量因数7
最大重复峰值反向电压130 V
最大反向电流1 µA
反向测试电压130 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
变容二极管分类ABRUPT
Base Number Matches1
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