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11DF3-T/R

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小201KB,共4页
制造商FRONTIER
官网地址http://www.frontierusa.com/
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11DF3-T/R概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon

11DF3-T/R规格参数

参数名称属性值
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大反向恢复时间0.025 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
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