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1N6626D3B.GCDM

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.75A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DLCC3 VARIANT B, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
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1N6626D3B.GCDM概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.75A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DLCC3 VARIANT B, 2 PIN

1N6626D3B.GCDM规格参数

参数名称属性值
包装说明R-CDSO-N2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
应用ULTRA FAST RECOVERY POWER
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-CDSO-N2
JESD-609代码e4
最大非重复峰值正向电流75 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1.75 A
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.03 µs
表面贴装YES
端子面层GOLD
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
Base Number Matches1
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