电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N5455B

产品描述Variable Capacitance Diode, 82pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小13KB,共1页
制造商Cobham PLC
下载文档 详细参数 全文预览

1N5455B概述

Variable Capacitance Diode, 82pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2

1N5455B规格参数

参数名称属性值
包装说明GLASS PACKAGE-2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压30 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管电容容差5%
最小二极管电容比2.7
标称二极管电容82 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JEDEC-95代码DO-7
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
湿度敏感等级NOT SPECIFIED
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.4 W
认证状态Not Qualified
最小质量因数175
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
变容二极管分类ABRUPT
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
K
NOX
S
EMICONDUCTOR,
I
NC.
GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES
1N5441 TO 1N5476
TYPE
NUMBER
1N5441
1N5442
1N5443
1N5444
1N5445
1N5446
1N5447
1N5448
1N5449
1N5450
1N5451
1N5452
1N5453
1N5454
1N5455
1N5456
♦1N5461
♦1N5462
♦1N5463
♦1N5464
♦1N5465
♦1N5466
♦1N5467
♦1N5468
♦1N5469
♦1N5470
♦1N5471
♦1N5472
♦1N5473
♦1N5474
♦1N5475
♦1N5476
CAPACITANCE
@ - 4 Vdc • 1 MHz
(pF)
6.8
8.2
10.0
12.0
15.0
18.0
20.0
22.0
27.0
33.0
39.0
47.0
56.0
68.0
82.0
100.0
6.8
8.2
10.0
12.0
15.0
18.0
20.0
22.0
27.0
33.0
39.0
47.0
56.0
68.0
82.0
100.0
TUNING RATIO
C•2 V / C•30V
MIN
MAX
2.5
3.1
2.5
3.1
2.6
3.1
2.6
3.1
2.6
3.1
2.6
3.1
2.6
3.1
2.6
3.2
2.6
3.2
2.6
3.2
2.6
3.2
2.6
3.2
2.6
3.3
2.7
3.3
2.7
3.3
2.7
3.3
2.7
2.8
2.8
2.8
2.8
2.9
2.9
2.9
2.9
2.9
2.9
2.9
2.9
2.9
2.9
2.9
3.1
3.1
3.1
3.1
3.1
3.1
3.1
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.3
3.3
3.3
3.3
MIN QUALITY FACTOR
Q @ - 4 Vdc
f = 50 MHz
450
450
400
400
400
350
350
350
350
350
300
250
200
175
175
175
600
600
550
550
550
500
500
500
500
500
450
400
300
250
225
200
Package style
DC Power Dissipation
Min Reverse Breakdown Voltage
Max Reverse Current (I
R
)
Max Reverse Current (I
R2
)
Temp. Coefficient of Capacitance
Operating Temperature (Topr)
Storage Temperature (Tstg)
Capacitance Tolerance
@ Ta = 25°C
@ I
R
= 10 µA
@ 25 Vdc
@ 25 Vdc 150°C
@ Vr -4 Vdc, Ta -65° to + 85°c
Standard Device
Suffix A
Suffix B
Suffix C
DO-7
400 mW
30 V
0.02 µA
20 µA
.04% /°C
-65 to +175°C
-65 to +200°C
±20%
±10%
±5%
±2%
DENOTES MILITARY APPROVAL FOR JAN - JANTX – JANTXV (B & C Tolerance only)
P.O. BOX 609 • ROCKPORT, MAINE 04856
• 207•236•6076
FAX 207•236•9558
-25-
单片机的低成本智能防火防盗报警系统
现如今在学校的寝室里,学生贵重物品被盗、由于学生过失而引起着火等事故时有发生,这些都是一直以来困扰着学生、学工以及学校保卫处的“大问题”。传统的防范措施存在很大的弊端, ......
Jacktang 微控制器 MCU
DSP入门指导和使用分享
F2833x系列DSP最大的优点在于内置了浮点运算单元,从而大大提高了系统计算能力,对于复杂的浮点运算具有很强的处理能力,281x系列的DSP却没有浮点单元。 在实现浮点乘除运算或三角函数、 ......
Jacktang DSP 与 ARM 处理器
分享负压电源设计
在电路中经常需要负压,虽然有专门的负压芯片,但是受到的限制比较多,例如输入电压范围,最大电流等并不能满足规格要求,此时建议可以用buck芯片来做。例如TPS54160A: 488366 所有buck ......
qwqwqw2088 模拟与混合信号
单片机晶振的作用以及原理解析
每个单片机系统里都有晶振,全程是叫晶体震荡器,在单片机系统里晶振的作用非常大,他结合单片机内部的电路,产生单片机所必须的时钟频率,单片机的一切指令的执行都是建立在这个基础上的, ......
Aguilera 微控制器 MCU
avr studio4 寄存器问题
请问定义的变量a,在avr studio4中怎样能看到a中的数据呢?很着急,希望好心人帮忙。先谢谢啦! ...
jiayidan6 Microchip MCU
NAND01G-B datasheet中怎么没有命令寄存器,数据寄存器,地址寄存器的内存映射
dsp通过emifa与nandflash连接,nandflash型号是NAND01GW3A. 可是datasheet中怎么没有命令寄存器,数据寄存器,地址寄存器的内存映射地址....
georon DSP 与 ARM 处理器

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1887  2223  361  2162  1244  38  45  8  44  26 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved